Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại (MOSFET) song song công suất là một cách phổ biến để giảm tổn thất dẫn điện và phân tán công suất tiêu tán trên nhiều thiết bị nhằm hạn chế nhiệt độ tiếp giáp tối đa. Bản tóm tắt ứng dụng này chia sẻ các phương pháp hay nhất và ví dụ về MOSFET công suất song song trong các ứng dụng khác nhau.
Các phương pháp hay nhất khi song song các MOSFET nguồn Dưới đây là những lời khuyên hữu ích khi sử dụng song song các FET:
• Mỗi FET cần có điện trở Gate riêng có giá trị từ vài ohm đến hàng chục ohm. Điều này giúp chia sẻ dòng điện và ngăn ngừa dao động Gate.
• FET cần có khả năng ghép nhiệt tốt để đảm bảo cân bằng dòng điện và nhiệt giữa các thiết bị. Chúng có thể được gắn trên một bộ tản nhiệt thông thường hoặc mặt phẳng plane đồng để duy trì nhiệt độ bằng nhau.
• Vị trí và cách bố trí của mỗi FET phải giống hệt nhau và đối xứng, hợp lý, để cân bằng độ tự cảm ký sinh trong các vòng Gate-Source và Drain-Source quan trọng.
• Đảm bảo rằng mạch điều khiển Gate có thể điều khiển điện dung (sạc) cao hơn của nhiều thiết bị mà không bị quá nóng. Hãy nhớ rằng, điện dung (điện tích) được nhân với số lượng MOSFET song song.
• Tránh thêm các tụ điện bên ngoài từ Gate tới Source hoặc Gate tới Drain. Nếu cần, hãy điều chỉnh giá trị điện trở Gate để tối ưu hóa tốc độ chuyển mạch của FET.
• Nếu bạn cần điốt Zener để bảo vệ bộ điều khiển MOSFET, hãy đặt chúng gần đầu ra của bộ điều khiển Gate và trước các điện trở Gate.
